键合银带
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产品规格
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产品 |
宽度（mm） |
厚度（mm） |
线圈规格（m） |
产能 |
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银带 |
0.05~1.5 |
0.0125~0.025 |
100m/轴 |
大规模生产 |
性能参数
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规格（Size） |
延伸(%) |
拉伸(cn) |
米/轴 |
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40*4 |
＞10 |
1800-2500 |
min50 |
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40*6 |
＞10 |
2500-3800 |
min45 |
|
40*8 |
＞10 |
4000-5500 |
min40 |
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60*4 |
＞10 |
2800-3900 |
min50 |
|
60*8 |
＞10 |
5500-7900 |
min40 |
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60*12 |
＞10 |
7800-11000 |
min30 |
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80*6 |
＞10 |
6800-10500 |
min45 |
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80*10 |
＞10 |
7500-12500 |
min35 |
应用领域
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键合银带在高功率器件、静密封装和高温场景中广泛应用。主要用于5G基站功率放大器（PA）芯片与基板的键合，银带的高导电性可以减少信号损耗；在电动汽车驱动模块中，银带连接SiC芯片与DBC基板，耐高温性能出色；在卫星通讯领域中（如低轨道卫星电源控制模块），可实现在真空环境下长期稳定工作。
